Sic substratas
Silicio karbido (SiC) substratai tampa vis svarbesni įvairiose srityse, ypač galios elektronikoje dėl savo puikių savybių. SiC, plataus dažnio juostos puslaidininkis, turi daug pranašumų, palyginti su tradiciniu siliciu, įskaitant didesnį energijos vartojimo efektyvumą, didesnį atsparumą temperatūrai ir didesnį patikimumą. Dėl šių savybių SiC substratai yra pagrindinis komponentas kuriant pažangias technologijas. Silicio karbidas, dažnai trumpinamas kaip SiC, yra silicio ir anglies junginys. Kaip substratas, jis tarnauja kaip pagrindas, ant kurio formuojami įrenginiai ar grandinės. SiC substratai yra ideali platforma maitinimo įrenginiams dėl savo unikalių fizinių ir elektroninių savybių.
- Greitas pristatymas
- Kokybės užtikrinimas
- 24/7 klientų aptarnavimas
produkto pristatymas
Kompanijos profilis
Zhonggui Semiconductor, įkurta 2009 m., išaugo nuo savo šaknų Yangzhou Zhongding Semiconductor Company ir tapo puslaidininkių pramonės lydere. Naudodamiesi Kinijos mokslų akademijos Nanos instituto techninėmis naujovėmis, specializuojamės puslaidininkinių silicio plokštelių gamyboje ir technologinėje pažangoje. Mūsų atsidavimas išugdė išskirtinę techninę komandą, užsitikrinusią mūsų, kaip pramonės lyderio, poziciją.
kodėl rinktis mus
Gamybos įranga
Mes eksploatuojame 100 klasės švarių patalpų įrenginį, kuriame yra pjaustymo staklės, šlifavimo staklės, nuožulniosios staklės, cheminio mechaninio poliravimo staklės, pjovimo staklės ir kt. Esame pasiryžę teikti savo klientams profesionalias, pritaikytas paslaugas.
Profesionali komanda
Mes turime pasaulinį pasiekiamumą, nes mūsų produktai parduodami keliose šalyse, įskaitant JAV, Rusiją, Jungtinę Karalystę, Prancūziją ir kt. Esame įsipareigoję bendradarbiauti su savo klientais, kad skatintume abipusį tobulėjimą ir siektume abipusiai naudingos partnerystės.
Sertifikatas
Su pažangia įranga ir stipria ISO 9001 kokybės valdymo sistema užtikriname kokybiškus, pritaikytus sprendimus savo klientams.
Mūsų gamykla
Jangdžou Tianshan miesto pramoninėje zonoje įsikūrusi „Silicore Technologies Ltd.“ yra tiesioginio šaltinio gamykla, kurios tikslas – tiekti pritaikytus silicio pagrindu pagamintus produktus.
Silicio karbidas (SiC), pasižymintis tvirtu pobūdžiu ir plačiu pritaikymo spektru, dėl savo išskirtinių savybių daro didelę įtaką įvairioms pramonės šakoms.
Silicio karbidas (SiC), pasižymintis tvirtu pobūdžiu ir plačiu pritaikymo spektru, dėl savo išskirtinių savybių daro didelę įtaką įvairioms pramonės šakoms.
6H polistipas išsiskiria tvirtomis mechaninėmis savybėmis ir dažnai naudojamas ten, kur svarbiausia yra patvarumas.
Silicio karbido (SiC) substratai yra pagaminti iš labai grynos medžiagos, sujungiančios silicį ir anglį. Gamybos procesas prasideda naudojant aukštos temperatūros techniką, vadinamą fiziniu garų transportavimu (PVT).
Kas yra Sic substratas?
Silicio karbido (SiC) substratai tampa vis svarbesni įvairiose srityse, ypač galios elektronikoje dėl savo puikių savybių. SiC, plataus dažnio juostos puslaidininkis, turi daug pranašumų, palyginti su tradiciniu siliciu, įskaitant didesnį energijos vartojimo efektyvumą, didesnį atsparumą temperatūrai ir didesnį patikimumą. Dėl šių savybių SiC substratai yra pagrindinis komponentas kuriant pažangias technologijas.
Silicio karbidas, dažnai sutrumpintas kaip SiC, yra silicio ir anglies junginys. Kaip substratas, jis tarnauja kaip pagrindas, ant kurio formuojami įrenginiai ar grandinės. SiC substratai yra ideali platforma maitinimo įrenginiams dėl savo unikalių fizinių ir elektroninių savybių.
Sic substrato privalumai
Aukštas šilumos laidumas
SiC šilumos laidumas yra 3-5 kartų didesnis nei silicio (Si) substratų. Tai leidžia greičiau išsklaidyti šilumą ir padeda išlaikyti žemą įrenginio temperatūrą.
Aukšta pertraukimo įtampa
SiC substratai turi didelę gedimo įtampą, todėl jie gali atlaikyti didelius elektrinius laukus. Tai leidžia kurti įrenginius, kurie gali veikti esant aukštai įtampai ir srovėms, todėl jie idealiai tinka didelės galios programoms.
Didelis elektronų mobilumas
SiC turi didesnį elektronų mobilumą nei Si, todėl galima sukurti įrenginius, galinčius veikti aukštesniu dažniu. Tai svarbu tokiose programose kaip RF stiprintuvai ir aukšto dažnio perjungimo grandinės.
Platus juostos tarpas
SiC turi platų pralaidumą, leidžiantį sukurti įrenginius, galinčius veikti aukštesnėje temperatūroje. Tai svarbu naudojant aukštą temperatūrą, pvz., galios elektroniką ir kosmosą.
Sumažėję energijos nuostoliai
SiC substratai turi mažesnį atsparumą įjungimui ir perjungimo nuostolius nei Si substratai. Tai leidžia sumažinti galios nuostolius ir pagerinti didelio galingumo elektroninių prietaisų efektyvumą.
Sic substrato tipas
Aliuminio nitrido keramikos pagrindas
Šešiakampė sistema, kovalentiniu ryšiu sujungtas vurcito junginys, pagrįstas [AlN4] tetraedriniu struktūriniu vienetu, pasižymi geru šilumos laidumu, patikima elektros izoliacija, maža dielektrine konstanta ir dielektriniais nuostoliais, netoksiška ir atitinka silicio šiluminio plėtimosi koeficientą ir kt. puikių savybių, jis laikomas idealiu pasirinkimu naujos kartos labai integruotiems puslaidininkiniams pagrindams ir elektroninėms pakavimo medžiagoms.
AlN miltelių, pagrindinės AlN keramikos žaliavos, paruošimo procesas yra sudėtingas, sunaudoja daug energijos, ilgas ciklas ir brangus. Didelės sąnaudos riboja platų AlN keramikos naudojimą, todėl AlN keramikos substratai daugiausia naudojami aukščiausios klasės pramonės šakose.
Silicio nitrido keramikos substratas
Si3N4 turi tris kristalines struktūras, būtent fazę, fazę ir fazę. Tarp jų fazė ir fazė yra labiausiai paplitusios Si3N4 formos ir visos jos yra šešiakampės struktūros. Si3N4 pasižymi puikiomis savybėmis, tokiomis kaip didelis kietumas, didelis stiprumas, mažas šiluminio plėtimosi koeficientas, mažas šliaužimas aukštoje temperatūroje, geras atsparumas oksidacijai, geras karštosios korozijos charakteristikas ir mažas trinties koeficientas.
Tačiau Si3N4 keramikos dielektrinės savybės yra prastos (dielektrinė konstanta yra 8,3, dielektriniai nuostoliai yra 0.001–0,1) ir didelės gamybos sąnaudos, o tai riboja jos panaudojimą kaip elektroninio pakavimo keramikos pagrindą.
Silicio karbido keraminis pagrindas
SiC keramika pasižymi dideliu šilumos laidumu. Šilumos laidumas aukštoje temperatūroje yra 100w/(m·k) ~ 400W/(m·k), o tai 13 kartų didesnis nei Al2O3. Jis turi gerą atsparumą oksidacijai, jo skilimo temperatūra yra aukštesnė nei 2500 laipsnių ir vis tiek gali būti naudojama 1600 laipsnių oksiduojančioje atmosferoje; jis taip pat turi gerą elektros izoliaciją, o jo šiluminio plėtimosi koeficientas yra mažesnis nei Al2O3 ir AlN. SiC keramika pasižymi stipriomis kovalentinio sukibimo savybėmis ir nėra lengva sukepinti. Nedideli boro arba aliuminio oksido kiekiai dažnai pridedami kaip pagalbinės sukepinimo priemonės, siekiant padidinti tankį. Eksperimentai rodo, kad berilis, boras, aliuminis ir jų junginiai yra patys veiksmingiausi priedai, dėl kurių SiC keramikos tankis gali siekti daugiau nei 98%.
Keraminis berilio oksido substratas
BeO yra vienintelė šešiakampė wurcito struktūra tarp šarminių žemių metalų oksidų. Kadangi BeO turi wurcito ir stiprių kovalentinių ryšių struktūrą ir mažą santykinę molekulinę masę, jis turi didelį šilumos laidumą. BeO aliuminio oksidas yra apie Jo šilumos laidumas kambario temperatūroje gali siekti 250 W/(m K), o šilumos laidumas yra 10 kartų didesnis nei metalo. Esant aukštai temperatūrai ir aukštam dažniui, jis turi geras elektrines savybes, gerą atsparumą karščiui ir gerą atsparumą smūgiams. , geras cheminis stabilumas.
Nors BeO turi keletą puikių savybių, jo mirtinas trūkumas yra tai, kad jo milteliai yra labai toksiški. Ilgalaikis BeO dulkių įkvėpimas gali sukelti apsinuodijimą ir net pavojų gyvybei, taip pat gali sukelti aplinkos taršą, o tai turi didelę įtaką BeO keramikos substratų gamybai ir naudojimui [5]. Be to, BeO gamybos savikaina yra gana didelė, o tai riboja jo gamybą ir pritaikymą.
Keraminis boro nitrido pagrindas
Boro nitridas būna dviejų skirtingų kristalinių formų: šešiakampės ir kubinės. Be to, kubinis boro nitridas turi didelį kietumą ir gali atlaikyti aukštą 1500–1600 laipsnių temperatūrą, todėl tinka itin kietoms medžiagoms. Tinkamomis terminio apdorojimo sąlygomis šešiakampis boro nitridas gali išlaikyti aukštą cheminį ir mechaninį stabilumą esant labai aukštai temperatūrai. Boro nitrido medžiaga pasižymi dideliu šiluminiu stabilumu, cheminiu stabilumu ir elektros izoliacija. Boro nitrido keramikos šilumos laidumas kambario temperatūroje prilygsta nerūdijančio plieno, o jo dielektrinės savybės yra geros. Boro nitridas yra trapesnis nei dauguma keramikos gaminių, turi mažą šiluminio plėtimosi koeficientą, stiprų atsparumą šiluminiam smūgiui ir gali atlaikyti greitus temperatūrų skirtumus, viršijančius 1500 laipsnių.
Sic substrato taikymas
Sic Substrate, kaip tipiškas trečiosios kartos puslaidininkinių medžiagų atstovas, šiuo metu taip pat yra viena brandžiausių ir plačiausiai naudojamų plataus dažnio juostos puslaidininkių medžiagų. Dėl puikių puslaidininkių savybių Sic Substrate keraminės medžiagos buvo plačiai naudojamos įvairiose srityse. Ji atlieka svarbų novatorišką vaidmenį šiuolaikinėje pramonėje. Tai itin ideali puslaidininkinė medžiaga aukštos temperatūros, aukšto dažnio, atspari spinduliuotei ir didelės galios srityse. „Siton“ puikiai žinojo apie tokias rinkos galimybes ir išleido silicio karbido pakavimo substratus, kuriuos klientai labai gyrė. Kadangi silicio karbido galios įrenginiai gali žymiai sumažinti elektroninės įrangos energijos suvartojimą, silicio karbido įrenginiai taip pat žinomi kaip „žaliosios energijos įrenginiai“, skatinantys „naują energijos revoliuciją“.
Įvairios variklio sistemos
Aukštos įtampos taikymo srityje puslaidininkiniai silicio karbido galios įrenginiai, naudojantys silicio karbido keraminius substratus, žymiai sumažina energijos suvartojimą. Įrangos šilumos generavimas labai sumažėja, o perjungimo nuostoliai gali būti sumažinti iki 92%. Tai taip pat gali dar labiau supaprastinti įrangos aušinimo mechanizmą. Įrenginio miniatiūrizavimas labai sumažina metalinių medžiagų sunaudojimą šilumai išsklaidyti.
Puslaidininkinis LED apšvietimo laukas
Sic Substrate turi didelių pranašumų didelės galios šviesos dioduose. Šviesos diodai, kuriuose naudojami Sic Substrate keraminiai substratai, pasižymi didesniu ryškumu, mažesniu energijos suvartojimu, ilgesniu tarnavimo laiku ir mažesniu vieneto lusto plotu.
Naujos energetinės transporto priemonės
Nauja energija varomų automobilių pramonė reikalauja, kad inverteriai būtų patikimesni, nei įprasti pramoniniai keitikliai, kai jie valdo didelio intensyvumo sroves; SiC Sic substratas turi geresnį šilumos išsklaidymą, aukštą efektyvumą, atsparumą aukštai temperatūrai ir didelį patikimumą. ) Keraminis pagrindas visiškai atitinka naujų energetinių transporto priemonių reikalavimus. Sic Substrate keraminių substratų miniatiūrizavimas gali žymiai sumažinti naujų energiją naudojančių transporto priemonių galios praradimą, todėl jos gali normaliai dirbti įvairiose atšiauriose aplinkose.
Dažniausiai naudojami aliuminio sic substrato paviršiaus apdorojimo procesai
Sic substratas pasižymi puikiomis savybėmis, tokiomis kaip didelis specifinis stiprumas, specifinis standumas, atsparumas dilimui ir mažas šiluminio plėtimosi koeficientas, taip pat turi svarbių galimybių naudoti kosmose, automobilių varikliuose, tiksliuose prietaisuose, elektroninėje pakuotėje, sporto įrangoje ir kt. Tačiau aliuminio silicio karbidas yra sunkiai apdorojama medžiaga ir ją sunku gaminti masiškai, o tai labai apriboja jos taikymo sritį. Taip yra daugiausia todėl, kad aliuminio silicio karbido apdorojimas daro didelę žalą įrankiui. Jei nėra tinkamos apdorojimo technologijos, įrankio kaina padidės. labai aukštai.
Kadangi aliuminio silicio karbido kompozicinėse medžiagose yra dalelių fazės, padidėja netolygūs medžiagos metalurginiai defektai, todėl medžiagos atsparumas korozijai korozinėje terpėje yra blogesnis nei matricinio lydinio be armavimo fazės, nes sutvirtinama medžiaga. Pati fazė gali veikti kaip korozijos aktyvusis centras ir gali pakeisti kinetinį matricos fazės pasikeitimo procesą, sudarydama nusodintą fazę, kuri gali lengvai sukelti koroziją tarp matricos ir sustiprintos fazės. Sąsajos liekamasis įtempis ir didelio tankio dislokacijos taip pat gali lengvai sukelti taškinę koroziją. Veiksmingas aliuminio silicio karbido kompozitų paviršiaus apdorojimas gali apsaugoti medžiagą nuo pažeidimų, atsirandančių dėl korozijos, susidėvėjimo ir oksidacijos aukštoje temperatūroje. Šiuo metu aliuminio silicio karbido paviršiaus apdorojimo metodai apima mikrolankinį oksidavimą, anodavimą, cheminį pasyvavimą, organinę dangą ir beelektrinį nikeliavimą.
Žaliavos smulkinimas:Naftos koksą susmulkinkite iki proceso reikalaujamo dalelių dydžio plaktuku.
Pardavimas ir maišymas:Pasverkite ir sumaišykite pagal nurodytą formulę. Šiame projekte naudojama platforma maišymui ir betono maišyklė maišymui.
Silicio karbido elektrinės krosnies paruošimas:Nuvalykite krosnies dugno medžiagą, apipjaustykite elektrodus, išvalykite ir suremontuokite krosnies sienelę, sumontuokite galią ir pirmą pavarą, patikrinkite ir pašalinkite kitus krosnies defektus.
Krosnies pakrovimas:Pripildykite krosnį reakcijos medžiagomis, izoliacinėmis medžiagomis ir krosnies šerdies medžiagomis pagal nurodytus krosnies medžiagų tipus, vietas ir dydžius ir pastatykite lydymo krosnies šonines sieneles, kurios atlieka izoliacijos ir medžiagų laikymo funkcijas.
Siųsti galią lydyti silicio karbidą:Prijunkite silicio karbido elektrinę krosnį prie transformatoriaus ir išsiųskite maitinimą. Pirmąsias 15 minučių CO uždegimui naudojama atvira liepsna. Lydymosi procesas trunka 170 valandų. Aukščiau pateiktas bendras silicio karbido gamybos procesas. Konkretus gamybos procesas gali skirtis priklausomai nuo gamintojo ir gaminio reikalavimų.
Aliuminio silicio karbido substratai naudojami geležinkelių transporto priemonėse, orlaiviuose, puslaidininkiniuose IGBT įrenginiuose ir kitose produktų srityse, daugiausia todėl, kad aliuminio pagrindu pagaminti silicio karbido substratai pasižymi dideliu šilumos laidumu, šiluminio plėtimosi koeficientu, kuris geriau atitinka lustą, yra lengvas, mažas tankis, didelis. kietumas ir didelis atsparumas Lenkimo stipris.
Silicio karbido substratų ir silicio nitrido substratų charakteristikos ir privalumai
Silicio karbido substratas aliuminio silicio karbidas (AISiC) yra silicio karbido dalelėmis sustiprintos kompozicinės medžiagos, taip pat žinomos kaip aliuminio silicio karbidas arba aliuminio silicio anglis, santrumpa. Jis turi labai svarbių ir išskirtinių pranašumų, kai taikomas karinėje pramonėje.
● AISiC pasižymi dideliu šilumos laidumu (170–200 W/mK), kuris dešimt kartų viršija įprastų pakavimo medžiagų. Jis gali laiku išsklaidyti lusto generuojamą šilumą ir pagerinti viso komponento patikimumą bei stabilumą.
● AISiC šiluminio plėtimosi koeficientas gerai suderintas su puslaidininkiniu lustu ir keraminiu pagrindu. Reguliuojamas šiluminio plėtimosi koeficientas (6,5–9,5 x 10-6/K) gali užkirsti kelią nuovargio gedimui, o maitinimo lustą galima sumontuoti net tiesiai ant AISiC pagrindo plokštės. pranašesnis.
● Silicio karbido substratas yra lengvas, stiprus kietumas, didelis lenkimo stiprumas ir geras atsparumas žemės drebėjimui. Pasirinkta medžiaga atšiaurioje aplinkoje.
Silicio karbido substratų ir silicio nitrido substratų panaudojimas skiriasi
Silicio nitrido keraminiai pagrindai turi didelį mechaninį stiprumą, atsparumą dilimui ir gerą šilumos laidumą. Jie daugiausia naudojami aviacijoje, automobilių varikliuose, automobilių amortizatoriuose, mechaninėje medicinos įrangoje, pramoninėse krosnyse, išmaniojoje elektroninėje įrangoje, didelės galios moduliuose ir kitose srityse. Paskirtis; Silicio karbidas naudojamas bėgių lokomotyvuose, orlaiviuose, puslaidininkiniuose IGBT įrenginiuose ir kitose produktų srityse, taip pat gerai pritaikomas karinėje pramonėje.
Mūsų gamykla
Mūsų specializacija pagal užsakymą pagamintų silicio plokštelių, sėklų kristalų, silicio taikinių ir tarpiklių srityje leidžia patenkinti įvairius puslaidininkių ir saulės energijos pramonės poreikius. Mūsų įsipareigojimas teikti individualizuotas paslaugas leidžia mūsų klientams tiksliai ir efektyviai pasiekti konkrečius projekto tikslus.
DUK
Populiarus Žymos: sic substratas, Kinijos sic substrato gamintojai, tiekėjai, gamykla
