Silicio plokštelės įvestis

Silicio plokštelės įvestis

Ši didelio{0}}grynumo silicio įvestis yra pagrindinė sudėtingų puslaidininkinių įrenginių gamybos pradinė medžiaga. Sukurta palaikyti visą skersmens spektrą nuo2 colių (50 mm) iki 12 colių (300 mm), šie substratai sukurti taip, kad suteiktų aukšto{0}}vientisumo sąsają šiuolaikinėje vakuuminio-ir cheminio-mechaninio apdorojimo aplinkoje.

Pagrindiniai techniniai pranašumai:

Nuspėjamas kinetinis atsakas:Medžiaga yra optimizuotaatominio{0}}lygio struktūros vienodumą, užtikrinant nuspėjamą elgesį nepastovios aukštos{0}temperatūros difuzijos ir plazmos ėsdinimo metu. Šis nuoseklumas yra būtinas norint išlaikyti stabilią slenkstinę įtampą ir sumažinti nuotėkio srovesMaitinimo IC (IGBT/MOSFET) ir logikaarchitektūros.

Sinerginis proceso efektyvumas:Pasiekdama išskirtinį radialinį varžos ir storio vienodumą, ši įvesties medžiaga palengvina sinchroninį apdorojimą visame plokštelės paviršiuje. Šis vidinės plokštelės{1}}svyravimų sumažinimas tiesiogiai padidinafotolitografinė raiškair pagerina bendrą gamybos efektyvumą{0}}didelės apimties liejyklų serijose.

Kelių{0}}programų universalumas:Sukurta taip, kad atitiktų ir viršytų pasaulinius pramoninės gamybos lūkesčius, įvestis išlaiko mechaninį vientisumą esant intensyviam šilumos ciklui. Dėl šio atsparumo jis tinkamas įvairioms reikmėms, įskaitantRF-IC, MEMS jutikliai ir pažangūs atskiri komponentai, užtikrinant sklandų perėjimą nuo MTTP prototipų kūrimo prie pramoninės{0}}masto gamybos.

Populiarus Žymos: silicio plokštelių įvestis, Kinijos silicio plokštelių įvesties gamintojai, tiekėjai, gamykla