Vieno kristalo silicio plokštelės

Vieno kristalo silicio plokštelės

Mūsų monokristalinės silicio plokštelės yrapagaminti naudojant pažangias kristalų auginimo technologijas, naudojant didelio tikslumoužtikrinti vienodą grotelių struktūrą ir minimalius defektus. Laikydami griežtą terminio gradiento kontrolę kietėjimo fazės metu, pasiekiame ilgo nuotolio-atomų išdėstymą, kuriame praktiškai nėra grūdelių ribų. Šis kristalinis tobulumas yra pagrindinė sąlyga norint pasiekti didžiausią elektronų mobilumą, užtikrinant, kad kiekviena plokštelė būtų puikus šablonas naujos kartos sub-nanometrinių įrenginių architektūroms.

Stabilus tikslios grandinės elektros našumas:Vienos{0}}kristalinės matricos dalelių ribų nebuvimas pašalina nešiklio sklaidos centrus, todėl šios plokštelės galiužtikrina stabilų elektrinį veikimą. Šis homogeniškumas yra labai svarbus norint nuosekliai gaminti didelio-tankio gaminiusLogika, atmintis ir analoginiai IC, kur tiksliai valdyti slenkstinę įtampą ir nuotėkio sroves negalima{0}}sutarti.

Išskirtinis struktūrinis patikimumas:Mūsų plokštelės, sukurtos taip, kad atlaikytų intensyvius terminius ir mechaninius įtempius, atsirandančius dėl priekinės{0}}laidos-(FEOL) apdorojimodidelis patikimumasįvairiose gamybos aplinkose. Jų tvirtos termomechaninės savybės apsaugo nuo grotelių slydimo ir mikro{1}}iškrypimų aukštos-temperatūros difuzijos ir greito terminio atkaitinimo (RTA) ciklų metu, išlaikant geometrinį tikslumą, reikalingą kelių sluoksnių 3D sudėjimui.

Itin{0}}Mažas defektų tankis, užtikrinantis didesnį derlių:Griežtai filtruodami išlydytą -silicį ir atlikdami itin-švarų poliravimą, sumažiname kristalų kilmės duobes (COP) ir metalinius teršalus. Šis mažas-defektų tankis tiesiogiai padidinaVartų oksido vientisumas (GOI)ir sumažina „triukšmo žemumą“ jautriose elektroninėse programose, todėl pažangioms fab linijoms pasiekiamas didesnis plokštelių{0}}lygio derlius (WLY).

Populiarus Žymos: vieno kristalo silicio plokštelės, Kinijos monokristalinių silicio plokštelių gamintojai, tiekėjai, gamykla