Silicio epitaksijos substratai

Silicio epitaksijos substratai

Šie silicio epitaksiniai substratai yra kruopščiaiskirtas epitaksiniam sluoksniui augti, kuris yra labai{0}}grynas kristalinis šablonas pažangiam galios ir logikos įrenginių integravimui. Sukurti naudojant tikslią Czochralski (CZ) traukimą ir itin-švarią poliravimo sekas, mūsų substratai užtikrina bekompromisę paviršiaus aplinką. Šis atominio-lygio lygumas yra pagrindinis reikalavimas, norint pasiekti aukštos-kokybės homoepitaksinį ir heteroepitaksinį nusodinimą naujos kartos puslaidininkiuose.

Optimizuotas paviršius aukštos{0}}kokybės nusodinimui:Thekontroliuojama paviršiaus ir kristalų orientacijayra optimizuoti, kad sudarytų idealią branduolio susidarymo aplinką. Griežtai valdydamiIšjungtas{0}}kampas(klaidinga orientacija) mililaipsniu tikslumu palengviname žingsninį-srauto augimo mechanizmą. Tai sumažina gardelės neatitikimą ir neleidžia susidaryti krovimo gedimams bei sriegių iškrypimams, o tai būtina norint stabilizuoti kito epi-sluoksnio elektrines charakteristikas.

Įrenginio izoliavimo valdoma varža:Šie substratai, specialiai sukurti Power IC ir Analog programoms, siūlomistabilios medžiagos savybėssu labai vienodu priedo profiliu. Tai leidžia tiksliai valdyti substrato -to-epi sąsają, padidinant įrenginio izoliaciją ir sumažinant parazitinę talpą aukšto-dažnio ir aukštos{4}}įtampos aplinkoje.

Didelio{0}}grynumo terminis atsparumas:Kiekvienam substratui taikomi griežti intersticinio deguonies ir metalinių priemaišų leistini nuokrypiai, kad būtų išvengta automatinio -dopingo ir termiškai sukelto deformacijos. Jo didesnis mechaninis stiprumaspalaiko kelis apdorojimo etapus su minimaliomis variacijomis, išlaikant geometrinį tikslumą aukštos{0}}temperatūrinės CVD (cheminio garų nusodinimo) ir greito terminio apdorojimo (RTP) ciklų metu.

Populiarus Žymos: silicio epitaksiniai substratai, Kinijos silicio epitaksinių substratų gamintojai, tiekėjai, gamykla